【ITBEAR科技资讯】5月17日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，三星电子正考虑在下一代HBM4内存中采用先进的1cnm制程DRAM芯片，以增强其产品的能效竞争力。今年年初，三星电子的代表在Memcon2024行业会议上透露，公司有望在年底前实现1cnm工艺的大规模生产。对于HBM4，三
更新时间：2024-05-22 20:02:34
网站首页
提交收录
收录查询
文章资讯
热门排行
软文发布
自助广告